闪存器件工程师(J14449)

长江存储| 武汉
社招硕士
发布于 2026-04-15

职位描述

1)仿真方向: *存储器相关新结构和新工艺的仿真流程搭建和仿真分析。 *存储器相关操作方式的优化和仿真分析。 *存储器相关仿真模型与仿真方法的研发。 2)算法方向: *操作算法研究: 开发并实现提升NAND寿命和数据保留能力的算法,如通过操作算法优化降低写入干扰、读干扰,改善cycle 退化等。 *特性分析与问题定位: 通过测试数据分析和芯片特性验证,定位NAND器件及算法的性能瓶颈与可靠性问题,并提出有效的解决方案 *跨部门协作: 与器件工艺、芯片设计、固件及测试团队密切合作,确保算法在芯片上的成功实现与量产。 3)平台及测试方向: *负责3D NAND 测试程序开发、调试优化; *负责3D NAND存储器件及阵列操作的性能及可靠性问题,实现3D NAND存储器器件级、阵列级的性能及可靠性优化。

任职要求

*学历:硕士及以上 *专业:微电子,电子科学与技术,材料科学与技术等相关专业 *工作年限:3年及以上NAND闪存器件研发、算法开发或特性分析相关工作经验 *掌握半导体工艺,半导体物理,半导体器件物理 *具备NAND flash, NOR flash,CMOS等器件研发工作经验者优先

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