职位描述
1)仿真方向:
*存储器相关新结构和新工艺的仿真流程搭建和仿真分析。
*存储器相关操作方式的优化和仿真分析。
*存储器相关仿真模型与仿真方法的研发。
2)算法方向:
*操作算法研究: 开发并实现提升NAND寿命和数据保留能力的算法,如通过操作算法优化降低写入干扰、读干扰,改善cycle 退化等。
*特性分析与问题定位: 通过测试数据分析和芯片特性验证,定位NAND器件及算法的性能瓶颈与可靠性问题,并提出有效的解决方案
*跨部门协作: 与器件工艺、芯片设计、固件及测试团队密切合作,确保算法在芯片上的成功实现与量产。
3)平台及测试方向:
*负责3D NAND 测试程序开发、调试优化;
*负责3D NAND存储器件及阵列操作的性能及可靠性问题,实现3D NAND存储器器件级、阵列级的性能及可靠性优化。