离子注入工艺研发工程师(J14553)

1.工艺开发与优化：主导3DNAND and Logic 离子注入（IMP），快速热退火（RTA），激光退火（Laser anneal）以及原位水汽氧化（ISSG）等工艺开发及优化，满足器件性能指标。 2.良率与问题解决：协同PIE及YE，分析和解决研发过程中遇到的工艺难题，提高结构稳定性以及产品良率。 3.新设备，新材料和新工艺导入：评估和引入新设备，新材料和新工艺满足3D NAND以及Logic工艺的需求，提升性能，降低成本。 4.设备日常维护以及持续改善：负责相关工艺设备的稳定性维护以及性能持续改善，降低工艺波动，提升设备OEE,满足量产的标准。 5.技术文档与标准化:编写工艺规范、SOP（标准作业程序）及FMEA（失效模式分析）报告等。 6.前沿技术研究：实时跟踪国内外IMP及退火工艺在先进器件的应用，积极布局相关专利。

1.硕士及以上学历，材料科学、物理、微电子、化学工程等相关专业 2.两年及以上离子注入（IMP），快速热退火（RTA），激光退火（Laser anneal）以及原位水汽氧化（ISSG）等相关工艺经验 3.具备跨部门协作能力，与设备/整合/YE团队高效沟通；逻辑严谨，能系统性分析复杂工艺问题；抗压能力强，适应晶圆厂无尘室工作环境。